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A Catania la sfida per la sovranità digitale Ue nelle tecnologie dei semiconduttori

La Commisione europea ha approvato una misura di aiuto che consentirà a STMicroelectronics di investire 730 milioni di euro per la costruzione di uno stabilimento di wafer di carburo di silicio (SiC)

L’Ue punta su Catania per “l’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori“. L’approvazione della Commisione europea di una misura di aiuto di 292,5 milioni di euro messi a disposizione dal Pnrr italiano consentirà a STMicroelectronics di investire 730 milioni di euro per la costruzione di uno stabilimento di wafer di carburo di silicio (SiC) a Catania.

Il carburo di silicio è un materiale composto utilizzato per fabbricare wafer che fungono da base per specifici microchip utilizzati in dispositivi ad alte prestazioni, come i veicoli elettrici, le stazioni di ricarica rapida, le energie rinnovabili e altre applicazioni industriali.

Il progetto, che dovrebbe essere ultimato nel 2026, darà vita alla prima linea di produzione integrata di wafer epitassiali di carburo di silicio su scala industriale in Europa. Riunirà nello stesso impianto di produzione l’intera catena del valore del substrato di carburo di silicio, vale a dire dalla produzione della materia prima (polvere di SiC) alla fabbricazione dei wafer. I wafer di carburo di silicio saranno pronti per un ulteriore utilizzo a seguito di un processo di trattamento aggiuntivo nello stabilimento, nell’ambito del quale sui wafer di SiC viene applicato uno specifico strato epitassiale che ne potenzia le capacità tecniche (i cosiddetti “epiwafer in carburo di silicio”).

STMicroelectronics si è impegnata a soddisfare gli ordini prioritari dell’Ue in caso di carenza di approvvigionamento; investire nello sviluppo della prossima generazione di microchip e continuare a contribuire al rafforzamento dell’ecosistema europeo dei semiconduttori.


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